Учебная работа. Область применения полупроводников

1 Звезда2 Звезды3 Звезды4 Звезды5 Звезд (Пока оценок нет)
Загрузка...

Область применения полупроводников

Министерство
образования и науки Российской Федерации

Федеральное
государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального
образования

Дальневосточный
федеральный университет

Школа
экономики и Менеджмента

Кафедра
Маркетинга

Реферат

по
Концепциям Современного Естествознания

на
тему: Полупроводники

г.
Владивосток

Введение

Полупроводниками называют вещества, обладающие
электронной проводимостью, занимающей промежуточное положение между металлами и
изоляторами. От металлов они отличаются тем, что носители электрического тока в
них создаются тепловым движением, светом, потоком электронов и т.п. источником
энергии. Без теплового движения (вблизи абсолютного нуля) полупроводники
являются изоляторами. С повышением температуры электропроводность
полупроводников возрастает и при расплавлении носит металлический характер.
Полупроводники обязаны своим названием тому обстоятельству, что по величине
электропроводности они занимают промежуточное положение между металлами и изоляторами.
Однако характерным для них является не величина проводимости, а то, что их
проводимость растет с повышением температуры (у металлов она уменьшается).
Полупроводниками являются вещества, у которых валентная зона полностью
заполнена электронами, а ширина запрещенной зоны невелика (у собственных
полупроводников не более 1 эв). Полупроводники — широкий класс веществ,
характеризующийся значениями удельной электропроводности, лежащей в диапазоне
между удельной электропроводностью металлов и хороших диэлектриков, то есть эти
вещества не могут быть отнесены как к диэлектрикам (так как не являются
хорошими изоляторами), так и к металлам (не являются хорошими проводниками
электрического тока). К полупроводникам, например, относят такие вещества как
германий, кремний, селен, теллур, а также некоторые оксиды, сульфиды и сплавы
металлов.

1. История открытия

после изобретения в 1904 г. Дж. Флемингом
двухэлектродной лампы-диода и Л. Де Форестом в 1906 г. трехэлектродной
лампы-триода в радиотехнике произошла революция. Эти изобретения позволили
усиливать не только телеграфные сигналы, но и перейти к радиотелефонии —
передаче по радио человеческого голоса. Помимо этого, они позволили усиливать
высокочастотные колебания. Началось бурное развитие радиотехники. Но одновременно
с ним выявились недостатки применения вакуумных электронных приборов.
Электронная лампа имеет небольшой срок службы. Приняв средний срок службы лампы
за 500 часов, при количестве ламп в одном устройстве 2000 штук в среднем каждые
15 минут следовало бы ожидать отказа по крайней мере 1 лампы. Для обнаружения
неисправности следовало проверить как минимум несколько сотен ламп. Недостатки
электронных ламп особенно остро выявились в конце 40-х-начале 50-х гг. прошлого
века с появлением первых электронно-вычислительных машин. Их надежность и
размеры определялись именно размерами, энергетической емкостью и надежностью
используемых в них вакуумных ламп. Выход из кризиса открыли полупроводниковые
приборы, которые, несмотря на свои недостатки, имели явные преимущества по
сравнению с лампами: небольшие размеры, мгновенная готовность к работе ввиду
отсутствия нити накала, отсутствие хрупких стеклянных баллонов. Эти необходимые
в то время свойства побудили к поиску способов устранения недостатков
полупроводников. Исследования проводимости различных материалов начались
непосредственно в XIX в. сразу после открытия гальванического тока. В 1929 г.
советский ученый А. Ф. Иоффе высказал мысль о возможности получения с помощью
термоэлектрического генератора из полупроводников электроэнергии с КПД в
2,5-4%. Уже в 1940-1941 гг. в советском Союзе были получены полупроводниковые
термоэлементы с КПД в 3%. Во второй половине 20-х гг. XX в. были созданы
твердые выпрямители переменного тока, представлявшие собой окисленную медную
пластинку. позже их стали делать из селена. серьезным недостатком первых
твердых выпрямителей были большие тепловые потери. Использование новых веществ,
в частности германия, позволило резко их снизить. Полупроводниковые выпрямители
удобны в эксплуатации, поскольку они миниатюрны и прочны, не требуют тока
накала, потребляют немного энергии и долговечны. То, что вещества по-разному
проводят электричество, людям было известно еще 190 лет назад. В 1821 году
английский химик Хэмфри Дэви установил, что электропроводность металлов
уменьшается с ростом температуры.

Проводя дальнейшие эксперименты, его ученик
Майкл Фарадей в 1833 году обнаружил, что у сернистого серебра
электропроводность с ростом температуры не падает, а возрастает. Затем он
открыл еще несколько веществ с необычной зависимостью проводимости от
температуры. В то время, однако, это не заинтересовало научный мир, пока в 1873
году не обнаружили, что сопротивление селена (Se) меняется при освещении.
Селеновые фотосопротивления сразу нашли применение в разных оптических
приборах. И первым полупроводниковым прибором стал фоторезистор, представляющий
собой обычный селеновый столбик, электрическое сопротивление которого в темноте
ниже, чем на свету. 1 июля 1948 г. в газете «Нью-Йорк тайм» появилась заметка о
демонстрации фирмой «Белл телефон лабораториз» прибора под названием
«транзистор». Он представлял собой полупроводниковый триод, несколько
напоминавший по конструкции кристаллические детекторы 20-х годов. Транзистор
создали физики Дж. Бардин и У. Браттейн. Его устройство было простым: на
поверхности пластинки из германия, с одним общим электродом-основанием, были
помещены два близко расположенных металлических стержня, один из которых был
включен в пропускном, а другой — в запорном направлении. Бурное развитие
полупроводниковой электроники началось с изобретением сначала точечного,
(1948г.), а затем и плоскостного (1951г) транзистора — основы любой современной
микросхемы.

2. Основные теоретические сведения и
положения

Граница между полупроводниками и диэлектриками
условна, так как диэлектрики при высоких температурах могут вести себя как
полупроводники, а чистые полупроводники при низких температурах ведут себя как
диэлектрики. В металлах концентрация электронов практически не зависит от
температуры, а в полупроводниках носители заряда возникают лишь при повышении
температуры или при поглощении энергии от другого источника. типичными
полупроводниками являются углерод I (С), германий (Gе) и кремний (Si). Германий
— это хрупкий серовато-белый элемент, открытый в 1886 г. I Источником
порошкообразной двуокиси германия, из которой получают твердый чистый германий,
являются золы некоторых сортов угля.

Кремний является наиболее широко используемым
полупроводниковым материалом;

Рассмотрим подробнее образование электронов
проводимости в полупроводниках на примере кремния. Атом кремния имеет
порядковый номер Z = 14 в
периодической системе Менделеева. Поэтому в состав его атома входят 14
электронов. однако только четыре из них находятся на незаполненной внешней
оболочке и являются слабо связанными. Эти электроны называются валентными и
обусловливают четыре валентности кремния.

Атомы кремния способны объединять свои валентные
электроны с другими атомами кремния с помощью, так называемой ковалентной
связи. При ковалентной связи валентные электроны совместно используются
различными атомами, что приводит к образованию кристалла.

При повышении температуры кристалла тепловые
колебания решетки приводят к разрыву некоторых валентных связей. В результате
этого часть электронов, ранее участвовавших в образовании валентных связей,
отщепляется и становится электронами проводимости. При наличии электрического
поля они перемещаются против поля и образуют электрический ток. В отличие от
проводников, носителями тока в полупроводниках могут быть не только электроны,
но и «дырки» — места на орбите положительно заряженных частиц — ионов,
образовавшихся после потери электрона. Положительный заряд этих частиц
стремится захватить недостающий электрон у одного из соседних атомов. Таким
образом, «дырка» путешествует по полупроводнику, переходя от атома к атому.
вместе с ней путешествует и положительный заряд, равный по значению
отрицательному заряду электрона. один и тот же полупроводник может обладать
либо электронной, либо дырочной проводимостью. Все зависит от химического
состава введенных в него примесей. Так, небольшая добавка в германий примесей,
богатых электронами, например мышьяка или сурьмы, позволяет получить
полупроводник с электронной проводимостью, так называемый полупроводник n-типа (от
лат. negativus — отрицательный). Добавка же алюминия, галлия или индия приводит
к избытку «дырок» и образованию дырочной проводимости. Такие проводники
называются проводниками р-типа (от лат. positivus — положительный). Все
полупроводниковые материалы имеют отрицательный температурный коэффициент
сопротивления. чистые полупроводники являются объектом главным образом
теоретического интереса. Основные исследования полупроводников связаны с
влиянием добавления примесей в чистые материалы. Без этих примесей не было бы
большинства полупроводниковых приборов.

Атом мышьяка вводит четыре своих валентных
электрона в ковалентные связи с соседними атомами. Его пятый электрон слабо
связан с ядром и легко может стать свободным. Атом мышьяка называется
донорским, поскольку он отдает свой лишний электрон. В легированном
полупроводниковом материале находится достаточное количество донорских атомов,
а следовательно, и свободных электронов для поддержания тока. При комнатной
температуре количество дополнительных свободных электронов превышает количество
электронно-дырочных пар. Это означает, что в материале больше электронов, чем
дырок. поэтому электроны называют основными носителями. Дырки называют
неосновными носителями. Поскольку основные носители имеют отрицательный заряд,
такой материал называется полупроводником n-типа.

Когда полупроводниковый материал легирован
трехвалентными атомами, например атомами индия, то атомы разместят свои три
валентных электрона среди трёх соседних атомов.

Это создаст в ковалентной связи дырку. наличие
дополнительных дырок позволит электронам легко дрейфовать от одной ковалентной
связи к другой. Так как дырки легко принимают электроны, атомы, которые вносят
в полупроводник дополнительные дырки, называются акцепторными. При обычных
условиях количество дырок в таком материале значительно превышает количество
электронов. Следовательно, дырки являются основными носителями, а электроны —
неосновными. Поскольку основные носители имеют положительный заряд, материал
называется полупроводником р-типа. Полупроводниковые материалы n и р-типов
имеют значительно более высокую проводимость, чем р чистые полупроводники. Эта
проводимость может быть увеличена или уменьшена путем изменения количества
примесей. Чем сильнее полупроводниковый материал легирован, тем меньше его
электрическое сопротивление. Контакт двух полупроводников с различными типами
проводимости называется р-л-переходом и обладает очень важным свойством — его
сопротивление зависит от направления тока. Отметим, что такой контакт нельзя
получить, прижимая друг к другу два полупроводника, р-л-переход создается в
одной пластине полупроводника путем образования в ней областей с различными
типами проводимости.

Электросопротивление различных полупроводников
при комнатной температуре составляет 10-6…109 ОмЧм . В отличие от металлов
полупроводники, как правило, характеризуются отрицательным температурным
коэффициентом удельного электросопротивления.

Электрофизические параметры полупроводников
очень сильно зависят от содержания примесей, даже в малых количествах присутствующих
в кристалле. поэтому концентрация примесей в исходных промышленных
полупроводниковых материалах, применяемых для изготовления полупроводниковых
приборов, как правило, не превышает 10-3 %, что соответствует содержанию
примесных атомов в единице объема полупроводника около 1024 м-3.Для
большинства практических применений полупроводниковые материалы должны обладать
высоким структурным совершенством. В связи с этим их получают и используют в
виде монокристаллов.

Технические трудности, связанные с синтезом
полупроводниковых материалов высокой степени чистоты и структурного
совершенства, явились одной из главных причин того, что длительное время, более
100 лет после открытия (1833 г., М. Фарадей), потенциальные возможности
полупроводников не использовались в технике. Лишь значительный прогресс в
технологии получения cверхчистых веществ и выращивания полупроводниковых
монокристаллов позволил устранить принципиальные барьеры на пути
целенаправленного изучения специфических свойств полупроводников и их широкого
практического применения.

Одним из основных промышленных способов
выращивания монокристаллов полупроводников стал метод, разработанный
Чохральским (рис. 4). В этом методе врашающийся кристаллоноситель 1 с затравочным
кристаллом 6 медленно поднимается, вытягивая за собой расплав 3,
кристаллизующийся в кристалл 7. В зависимости от варианта метода Чохральского
полученные монокристаллы имеют диаметр от 20 до 150 мм и массу 0,07…1,8 кг.

классификация полупроводниковых материалов.
Полупроводниковые материалы по химическому составу и кристаллической структуре
подразделяют на неорганические и органические полупроводники. широкое
практическое применение получили неорганические полупроводниковые материалы, к
которым относятся кристаллические и аморфные (стеклообразные) полупроводники.

К классу кристаллических полупроводников
относятся элементарные полупроводники, а также химические соединения и твердые
растворы на основе химических соединений.

Элементарными (или простыми) полупроводниками
являются двенадцать элементов периодической системы Д.И. Менделеева:

элементы 3 группы — В (бор);

элементы 4 группы — С (углерод), Si (кремний),
Ge (германий), Sn (олово);

элементы 5 группы — Р (фосфор), As (мышьяк), Sb
(сурьма);

элементы 6 группы — S (сера), Se (селен), Te
(теллур);

элементы 7 группы — J (йод).

В современной микроэлектронике наиболее широкое
практическое применение получили Si и Ge, используемые для изготовления
транзисторов и других полупроводниковых приборов.

Двойные и тройные полупроводниковые химические
соединения. Структурная формула двойных соединений записывается в виде АmВn,
где индексы m и n представляют номер группы таблицы Менделеева. Полупроводниковые
свойства проявляются у тринадцати классов бинарных соединений:

A1B5
(KSb, K3Sb,
CsSb, Cs3Sb);

A1B6 (CuO, Cu2O, CuS, Cu2S, Cu2Se,
Cu2Te, AgTe);B7 (CuCl, CuBr, CuJ, AgCl, AgBr, AgJ);B4 (Mg2Si, Mg2Ge, Mg2Sn,
Ca2Si, Ca2Sn, Ca2Pb);B5 (ZnSb, CdSb, Mg3Sb2, Zn3As2, Cd3P2, Cd3As2);B6 (ZnO,
ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe);B7 (ZnCl2, ZnJ2, CdCl2,
CdJ2);B5 (AlP, AlSb, AlAs, GaP, GaSb, GaAs, InP, InSb, InAs);B6 (GaS, GaSe,
InS, InSe, In2O3, In2S3, In2Se3, In2Te3, Te2S);B4 (SiC, SiGe);B6 (GeO2, PbS,
PbSe, PbTe, TiO2 , GeTi, SnTe, GeS);B6 (MoO3 ,WO3 );B6 (Fe2O3, NiO).

К тройным химическим полупроводниковым
соединениям относятся пять классов полупроводников:

A1B3B26 (CuAlS2, CuInS2, CuInSe2,
CuInTe2, AgInSe2, AgInTe2, CuGaSe2, CuGaTe2);B5B26 (CuSbS2, CuAsS2, AgSbSe2, AgSbTe2,
AgBiS2, AgBiSe2, AgBiTe2);B8B26 (CuFeSe2, AgFeSe2, AgFeTe2);B4B25 (ZnSiAs2,
ZnGeAs2);4B5B26
(PbBiSe2).

полупроводник электронный
проводимость

Аморфными полупроводниками являются соединения
класса A5B6 (наиболее известны As2S3 и As2Se3).

3. Распространенность
полупроводников в природе и человеческой практике

К числу полупроводников относятся многие
химические элементы (германий, кремний, селен, теллур, мышьяк и др.), огромное
количество сплавов и химических соединений. Почти все неорганические вещества
окружающего нас мира — полупроводники. Самым распространенным в природе
полупроводником является кремний, составляющий около 30 % земной коры. Кремний
— полупроводник, находящий большое применение. Электрические свойства Кремния
очень сильно зависят от примесей. Специально легированный Кремний широко
применяется как материал для изготовления полупроводниковых приборов
(транзисторы, термисторы, силовые выпрямители тока, тиристоры; солнечные
фотоэлементы, используемые в космических кораблях, и т. д.). Поскольку Кремний
прозрачен для лучей с длиной волны от 1 до 9 мкм, его применяют в инфракрасной
оптике.

Кремний имеет разнообразные и расширяющиеся
области применения. В металлургии Кремний используется для удаления
растворенного в расплавленных металлах кислорода (раскисления). Кремний
является составной частью большого числа сплавов железа и цветных металлов.
Обычно Кремний придает сплавам повышенную устойчивость к коррозии, улучшает их
литейные свойства и повышает механическую прочность; однако при большем его
содержании Кремний может вызвать хрупкость. Наибольшее количество Кремния
идет на синтез кремнийорганических соединений и силицидов. Кремнезем и многие
силикаты (глины, полевые шпаты, слюды, тальки и т. д.) перерабатываются
стекольной, цементной, керамической, электротехнической и другими отраслями
промышленности.

Идеально чистые полупроводники в природе не
встречаются, а изготовить их искусственно необычайно трудно. Малейшие следы
примесей коренным образом меняют свойства полупроводников.

По химической природе современные
полупроводниковые материалы можно разделить на следующие четыре главные группы:

. Кристаллические полупроводниковые материалы,
построенные из атомов или молекул одного элемента. Такими материалами являются
широко используемые в данное время германий, кремний, селен, бор, карбид
кремния и др.

. Окисные кристаллические полупроводниковые
материалы, т. е. материалы из окислов металлов. Главные из них: закись меди,
окись цинка, окись кадмия, двуокись титана, окись никеля и др. В эту же группу
входят материалы, изготовляемые на основе титаната бария, стронция, цинка, и
другие неорганические соединения с различными малыми добавками.

. Кристаллические полупроводниковые материалы на
основе соединений атомов третьей и пятой групп системы элементов Менделеева.
Примерами таких материалов являются антимониды индия, галлия и алюминия, т. е.
соединения сурьмы с индием, галлием и алюминием. Они получили наименование
интерметаллических соединений.

. Кристаллические полупроводниковые материалы на
основе соединений серы, селена и теллура с одной стороны и меди, кадмия и
свинца с другой. Такие соединения называются соответственно: сульфидами,
селенидами и теллуридами.

Рассмотрим широко применяемые полупроводниковые
материалы.

Германий — элемент четвертой группы
периодической системы элементов Менделеева. Германий имеет ярко-серебристый
цвет. Температура плавления германия 937,2° С. В природе он встречается часто,
но в весьма малых количествах. Присутствие германия обнаружено в цинковых рудах
и в золах разных углей. основным источником получения германия является зола
углей и отходы металлургических заводов.

полученный в результате ряда химических операций
слиток германия еще не представляет собой вещества, пригодного для изготовления
из него полупроводниковых приборов. Он содержит нерастворимые примеси, не
является еще монокристаллом и в него не введена легирующая примесь,
обусловливающая необходимый вид электропроводности.

Германий обладает большой твердостью, но
чрезвычайно хрупок и раскалывается на мелкие куски при ударах. однако при
помощи алмазной пилы или других устройств его можно распилить на тонкие
пластинки. отечественной промышленностью изготовляется легированный германий с
электронной электропроводностью различных марок с удельным сопротивлением от
0,003 до 45 ом х см и германий легированный с дырочной электропроводностью с
удельным сопротивлением от 0,4 до 5,5 ом х см и выше. Удельное же сопротивление
чистого германия при комнатной температуре ρ = 60 ом
х см.

Германий как полупроводниковый материал широко
используется не только для диодов и триодов, из него изготовляются мощные
выпрямители на большие токи, различные датчики, применяемые для измерения напряженности
магнитного поля, термометры сопротивления для низких температур и др.

4. Общенаучное

Важнейшая область применения
полупроводниковых материалов — микроэлектроника
<HTTP://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%9C%D0%B8%D0%BA%D1%80%D0%BE%D1%8D%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B0>.
Полупроводниковые материалы составляют основу современных больших и
сверхбольших интегральных схем, которые делают главным образом на основе
Кремния. Дальнейший прогресс в повышении быстродействия и в снижении
потребляемой мощности связан с созданием интегральных схем на основе GaAs
,
InP
<HTTP://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%81%D1%84%D0%B8%D0%B4_%D0%B8%D0%BD%D0%B4%D0%B8%D1%8F>
и их твердых растворов с др. соединениями типа АIIIВV. В больших масштабах
используют полупроводниковые материалы для изготовления «силовых»
полупроводниковых приборов

(вентили, тиристоры, мощные транзисторы). Здесь также основным материалом
является Кремний, а дальнейшее продвижение в область более высоких рабочих
температур связано с применением GaAs, SiC

и др. широкозонных полупроводниковых материалов. С каждым годом расширяется
применение полупроводниковых материалов в солнечной энергетике. основными
полупроводниковыми материалами для изготовления солнечных батарей
<HTTP://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%A1%D0%BE%D0%BB%D0%BD%D0%B5%D1%87%D0%BD%D1%8B%D0%B5_%D0%B1%D0%B0%D1%82%D0%B0%D1%80%D0%B5%D0%B8>
являются Si, GaAs, гетероструктуры GaxAl1-xAs/GaAs, Cu2S/CdS, α-Si:H, гетероструктуры
α-Si:H/α-SixC1-x:H.
С
применением в солнечных батареях некристаллических гидрированных
полупроводниковых материалов связаны перспективы резкого снижения стоимости
солнечных батарей. Полупроводниковые материалы используют для создания
полупроводниковых лазеров

и светодиодов
<HTTP://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%A1%D0%B2%D0%B5%D1%82%D0%BE%D0%B4%D0%B8%D0%BE%D0%B4>.
Лазеры делают на основе ряда прямозонных соединений типа AIIIBV, AIIBIV, AIVBVI
и др. важнейшими материалами для изготовления лазеров являются гетероструктуры:
GaxAl1-xAs/GaAs, GaxIn1-xAsyP1-y/InP, GaxIn1-xAs/InP,
GaxIn1-xAsyP1-y/GaxAs1-xPx, GaN/AlxGa1-xN. Для изготовления светодиодов широко
используют: GaAs ,
GaP, GaAs1-xPx, GaxIn1-xAs, GaxAl1-xAs, GaN
<HTTP://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%9D%D0%B8%D1%82%D1%80%D0%B8%D0%B4_%D0%B3%D0%B0%D0%BB%D0%BB%D0%B8%D1%8F>
и др. Полупроводниковые материалы составляют основу современных приемников
оптического излучения (фотоприемников) для широкого спектрального диапазона. Их
изготовляют на основе Ge
,
Si <HTTP://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%9A%D1%80%D0%B5%D0%BC%D0%BD%D0%B8%D0%B9>,
GaAs <HTTP://ru.wikipedia.org/wiki/GaAs>, GaP
, InSb
<HTTP://ru.wikipedia.org/wiki/InSb>, InAs
, GaxAl1-xAs, GaxIn1-xAs,
GaxIn1-xAsyP1-y, CdxHg1-xТе, PbxSn1-xTe и ряда др. полупроводниковых
материалов. Полупроводниковые лазеры и фотоприемники — важнейшие составляющие
элементной базы волоконно-оптической линий связи. Полупроводниковые материалы
используются для создания различных СВЧ приборов (биполярных и полевых
транзисторов, транзисторов на «горячих» электронах, лавинопролетных диодов и
др.). другие важные области применения полупроводниковых материалов: детекторы
ядерных излучений (используют особо чистые Ge, Si, GaAs, CdTe
<HTTP://ru.wikipedia.org/wiki/CdTe> и др.), изготовление
термохолодильников (теллуриды и селениды висмута и сурьмы), тензодатчиков,
высокочувствительных термометров, датчиков магнитных полей и др.

Вывод

Область применения полупроводников не
ограничивалась радиотехникой. Еще в 1932 г. А. Ф. Иоффе создал из закиси меди,
а затем из селена фотоэлементы, вырабатывавшие при их освещении электрический
ток без помощи внешних источников энергии. однако их КПД при использовании
солнечной энергии не превышал 0,05-0,1%. Но уже перед Великой отечественной
войной в СССР были созданы фотоэлементы из сернистого таллия и сернистого
серебра с КПД до 1%. В 1954 г. был создан кремниевый фотоэлемент. В этом же
году впервые была построена солнечная батарея, состоявшая из большого числа
кремниевых фотоэлементов. В начале 1955 г. были созданы фотоэлементы с КПД до
6%. Современные фотоэлементы имеют КПД до 20% и выше. Располагая
полупроводниковый диод рядом с радиоактивным материалом, получают атомную
батарею, которая может вырабатывать электрическую энергию на протяжении многих
лет. На основе полупроводников были созданы фотодиоды. В сочетании с электрическими
счетчиками они ведут учет движущихся объектов — от производимых деталей до
пассажиров в метро. Приборы, созданные с применением фотодиодов, могут
определять бракованные изделия на конвейере и выключать оборудование, если в
его опасную зону попадают руки рабочих. Создание приборов на основе
полупроводников произвело в середине XX в. техническую революцию. Дальнейшее их
развитие привело к созданию интегральных микросхем, появлению новых поколений
электронно-вычислительных машин и персональных компьютеров. Сейчас ни одна
область науки и техники не обходится без их применения.

список Интернет-ресурсов

1)
Page,1,981-poluprovodniki.html>

)
html>

)
http://www.alhimik.ru/read/stones15.html

)
HTTP://www.vsya-elektrotehnika.ru/glava11/g1_7.html

Учебная работа. Область применения полупроводников