Количество страниц учебной работы: 10
Учебная работа № /3382. «Контрольная Электромагнитные поля и волны Лабораторная 1
Содержание:
ЦЕЛЬ РАБОТЫ:
ЗАДАНИЕ ДЛЯ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО РАСЧЕТА.
Для прямоугольного волновода сечением a b мм, заполненного различными средами (см. таблицу 2), рассчитать для заданных в таблице 1 вариантов частоты f : коэффициент затухания α, фазовую постоянную β, модуль характеристического сопротивления , длину волны и фазовую скорость в прямоугольном волноводе, заполненного средой. Определить эквивалентную проводимость среды . В качестве исследуемых сред используются немагнитные среды. Относительная магнитная проницаемость m для немагнитных сред всегда равна единице .
Частота, ГГц – 8,15 = 8,15*106(Гц)
Среда
Текстолит
Дерево
Примечание: при проведении расчетов:
; ; а =23 мм; в = 10 мм.
ОПИСАНИЕ ЛАБОРАТОРНОЙ УСТАНОВКИ.
ЗАДАНИЕ И ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ.
Решение:
1) Среда текстолит:
2) Среда дерево:
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. Какая волна называется плоской волной? При каком условии электромагнитную волну можно считать плоской волной?
2.Какие среды называют идеальными, какие реальными? Приведите примеры идеальных и реальных сред.
3. Чем обусловлены потери энергии электромагнитной волны в диэлектрике, проводнике и вакууме?
4. Поясните физический смысл коэффициента затухания и фазовой постоянной.
5. Что называют длиной волны и периодом колебаний?
6. Записать уравнение плоской волны для электрического и магнитного полей в идеальной среде.
7. Записать уравнение плоской волны для электрического и магнитного полей в реальной среде.
8. Поясните физический смысл тангенса угла потерь.
9. Какое физическое явление используется для измерения диэлектрической проницаемости?
10. Какое физическое явление используется для измерения коэффициента затухания?
Форма заказа готовой работы
Выдержка из похожей работы
(1)
Потери на поглощение связаны с поверхностным эффектом в проводниках, приводящим к экспоненциальному уменьшению амплитуды проникающих в металлический экран электрических и магнитных полей,
Это обусловлено тем, что токи, индуцируемые в металле, вызывают омические потери и, следовательно, нагрев экрана,
Рис, 1, Экранирование электромагнитного поля металлическим экраном
Глубина проникновения определяется как величина, обратная коэффициенту затухания и зависит от частоты: чем больше частота, тем меньше глубина проникновения, В СВЧ диапазоне глубина проникновения в металлах имеет малую величину и тем меньше, чем больше проводимость металла и его магнитная проницаемость,
(2)
где — абсолютная магнитная проницаемость материала экрана; f — частота электромагнитного поля; — удельная проводимость материала экрана,
Выражение для определения потерь на поглощение экраном толщиной d может быть представлено в следующем виде:
(3)
Таким образом, потери на поглощение растут пропорционально толщине экрана, магнитной проницаемости и удельной проводимости его материала, а также частоте электромагнитного поля,
Потери на отражение на границе раздела двух сред связаны с различными значениями полных характеристических сопротивлений этих сред, При прохождении волны через экран она встречает на своем пути две границы раздела — воздух—металл и металл—воздух,
Хотя электрическое и магнитное поля отражаются от каждой границы по-разному, суммарный эффект после прохождения обеих границ одинаков для обеих составляющих поля, При этом наибольшее отражение при входе волны в экран (на первой границе раздела) испытывает электрическая составляющая поля, а при выходе из экрана (на второй границе раздела) наибольшее отражение испытывает магнитная составляющая поля, Для металлических экранов потери на отражение определяются выражением:
(4)
Откуда следует, что потери на отражение велики у экрана, изготовленного из материала с высокой проводимостью и малой магнитной проницаемостью,
Потери на многократные отражения в стенках экрана связаны с волновыми процессами в толще экрана и в основном определяются отражением от его границ, Для электрических полей почти вся энергия падающей волны отражается от первой границы (воздух—металл) и только небольшая ее часть проникает в экран, Поэтому многократными отражениями внутри экрана для электрических полей можно пренебречь,
Для магнитных полей большая часть падающей волны проходит в экран, в основном отражаясь только на второй границе (металл—воздух), тем самым, создавая предпосылки к многократным отражениям между стенками экрана, Корректирующий коэффициент Амотр многократного отражения для магнитных полей в экране с толщиной стенки d при глубине проникновения равен:
(5)
Величина Амотр имеет отрицательное значение, т,е, многократные отражения в толще экрана ухудшают эффективность экранирования, С уменьшением эффективности можно не считаться в случаях, когда на данной частоте выполняется условие d>, но им нельзя пренебрегать при применении тонких экранов, когда толщина экрана меньше глубины проникновения,
2, Экранирование узлов радиоэлектронной аппаратуры и их соединений
Экранирование высокочастотных катушек и контуров
При экранировании высокочастотных катушек и контуров аппаратуры необходимо учитывать не только эффективность экранирования соответствующего экрана, но и возможность ухудшения основных электрических параметров экранируемых элементов уменьшение индуктивности, увеличение сопротивления и собственной емкости, Вносимые экраном потери возрастают с увеличением удельного сопротивления материала экрана и с уменьшением расстояния между экраном экранируемой катушкой, В тех случаях, когда эквивалентное затухание контура определяется в основном затуханием катушки и необходимо иметь малое затухание, следует в качестве материала экрана применять немагнитные металлы (медь, латунь, алюминий), а размеры экрана выбирать по возможности большими,
При конструировании экранов следует располагать стыки, швы, щели в экране в направлении вихревых токов, определяющих эффективность экранирования, Экранирование электрического поля обеспечивается при наличии хорошего электрического контакта экрана с корпусом аппаратуры,
Экранирование низкочастотных трансформаторов и дросселей
В трансформаторах питания и низкочастотных трансформаторах, а также в дросселях питания основной рабочий магнитный поток проходит по магнитопроводу, Только небольшая его часть в виде потока рассеяния выходит за пределы магнитопровода, замыкаясь в окружающем пространстве»