Учебная работа № /3263. «Реферат Излучение и поглощение

1 Звезда2 Звезды3 Звезды4 Звезды5 Звезд (Пока оценок нет)
Загрузка...

Количество страниц учебной работы: 22

Учебная работа № /3263. «Реферат Излучение и поглощение


Содержание:
Введение_________________________________________________________3
1 Атом, как элементарный источник света_____________________________7
2 Излучение заряда_________________________________________________8

3 Излучение диполя_______________________________________________11
4 Уравнение Максвелла для электромагнитного поля___________________15
5 Ширина линий излучения_________________________________________17
Заключение______________________________________________________20
Список литературы________________________________________________22

1. П. С. Кудрявцев. «Максвелл», М., 1976 г.
2. Д. Мак-Дональд. «Фарадей», Максвелл и Кельвин», М., 1967 г.
3. Т. И. Трофимова. «Курс Физики», М., 1983 г.
4. Г.М. Голин, С.Р. Филонович. Классики физической науки. «Высшая школа». М., 1989.

Стоимость данной учебной работы: 585 руб.Учебная работа № /3263.  "Реферат Излучение и поглощение
Форма заказа готовой работы

    Форма для заказа готовой работы

    Укажите Ваш e-mail (обязательно)! ПРОВЕРЯЙТЕ пожалуйста правильность написания своего адреса!

    Укажите № работы и вариант


    Соглашение * (обязательно) Федеральный закон ФЗ-152 от 07.02.2017 N 13-ФЗ
    Я ознакомился с Пользовательским соглашением и даю согласие на обработку своих персональных данных.


    Выдержка из похожей работы

    Оптические свойства полупроводников
    2,1 Оптическое поглощение
    2,2 Фотопроводимость
    2,3 Фотовольтаические эффекты
    2,3,1 Эффект Дембера
    2,3,2 Вентильный фотоэффект
    Список литературы
    1, Классификация фотоэлектрических эффектов и оптоэлектронных приборов
    На рисунке 1 представлена схема, иллюстрирующая классификацию фотоэлектрических эффектов,
    Фотоэлектрическим эффектом (фотоэффектом) называют процесс взаимодействия электромагнитного излучения с веществом, в результате которого энергия фотонов передается электронам вещества,
    Фотоэлектрические эффекты делятся на внешний и внутренний фотоэффекты,
    Внешний фотоэффект связан с вырыванием электронов из кристаллов под действием электромагнитного излучения,
    При внутреннем фотоэффекте электрон вырывается из атома под действием электромагнитного излучения, но остается внутри кристалла,
    Внутренний фотоэффект лежит в основе фотопроводимости и фотовольтаических эффектов, Увеличение электропроводности полупроводника под действием электромагнитного излучения называется фотопроводимостью, Кроме фотопроводимости электромагнитное излучение в полупроводниках вызывает появление фотоЭДС, Эффекты, приводящие к появлению фото-ЭДС в полупроводниках, называются фотовольтаическими, Приборы на основе фотоэлектрических эффектов называются оптоэлектронными, Оптоэлектронные приборы делятся на три группы:
    приборы, преобразующие электрическую энергию в оптическое излучение (светодиоды, полупроводниковые лазеры);
    приборы, детектирующие оптические сигналы за счет протекающих под действием электромагнитного излучения электронных процессов (фотодетекторы);
    приборы, осуществляющие преобразование оптического излучения в электрическую энергию (фотовольтаические приборы, солнечные батареи),
    2, Оптические свойства полупроводников
    2,1 Оптическое поглощение
    При действии электромагнитного излучения с полупроводником, происходит взаимодействие квантов энергии в обеими подсистемами — атомной и электронной, составляющими кристалл,
    Изменение интенсивности электромагнитного излучения, падающего на полупроводник, можно описать законом Бугера-Ламберта:
    ,(1)
    где J — интенсивность электромагнитного излучения на расстоянии x от поверхности; J0 — интенсивность падающего на полупроводник излучения; б — коэффициент поглощения,
    Коэффициент поглощения показывает вероятность поглощения кванта энергии на расстоянии в единицу длины [б] = [м-1],
    Под действием электромагнитного излучения в полупроводниках образуются неравновесные носители заряда вследствие электронно-дырочных переходов, приведенных на рисунке 2, Переход типа 1 соответствует собственному поглощению вещества, в результате которого образуется пара свободных носителей заряда, а именно, электрон и дырка, Такое возбуждение называется биполярным, Электроны в зоне проводимости и дырки в валентной зоне, возбужденные электромагнитным излучением, переходят на уровни с более высокими энергиями (2, 2а рисунок 2), Данное поглощение называется поглощением на свободных носителях заряда, В результате поглощения фотонов примесными атомами и несовершенствами кристаллической решетки, которые образуют энергетические уровни в запрещенной зоне полупроводника, происходят переходы типа 3 и 4, Переходы электронов с примесного уровня в зону проводимости (3) или из валентной зоны на примесный уровень (3а) представляют собой примесное поглощение»