(6 оценок, среднее: 4,67 из 5)
Загрузка...учебная работа № 57331. Контрольная Рассчитать материальный баланс
Количество страниц учебной работы: 2
Содержание:
Рассчитать материальный баланс, получение триураноктаоксида из урановых растворов. производительность — 103 т/год, содержание компонентов в растворе: U(VI) — 139 г/л, Mn(II) — 0,07 г/л, Fe(III) — 0,03 г/л, Cr(III) — 0,011 г/л, выход оксида 99,0%.
Стоимость данной учебной работы: 195 руб.
выдержка из похожей работы
2,
Травление, на абразивном материале SiC
или Al2O3
удаляются повреждения высотой более
10 мкм, Затем в смеси плавиковой, азотной
и уксусной кислот, приготовленной в
пропорции 1:4:3, или раствора щелочей
натрия производится травление поверхности
Si,
3, Полирование — получение зеркально
гладкой поверхности, Используют смесь
полирующей суспензии (коллоидный раствор
частиц SiO2 размером 10 нм) с водой,
В
окончательном виде кремний представляет
из себя пластину диаметром 15 — 40 см,
толщиной 0,5 — 0,65 мм с одной зеркальной
поверхностью,
Основная
часть монокристаллов кремния, получаемых
методом Чохральского, используется для
производства интегральных микросхем;
незначительная часть (около 2 %) идет на
изготовление солнечных элементов,
метод является оптимальным для
изготовления приборов, не требующих
высоких значений удельного сопротивления
(до 25 Ом·см) из-за загрязнения кислородом
и другими примесями из материала
тигля,
Метод бестигельной зонной плавки (бзп)
Выращивание
кристаллов кремния методом бестигельной
зонной плавки (БЗП) осуществляют на
основе одновиткового индуктора (типа
«игольного ушка»), внутренний диаметр
которого меньше диаметра исходного
поликристаллического стержня и кристалла,
во всех современных системах зонной
плавки используется стационарное
положение индуктора, а поликристаллический
стержень и растущий монокристалл
перемещаются, Скорость выращивания
кристаллов методом БЗП вдвое больше,
чем по методу Чохральского, благодаря
более высоким градиентам температуры,
из-за технических трудностей
выращиваемые методом БЗП кристаллы
кремния (их диаметр доведен до 150 мм)
уступают по диаметру кристаллам,
получаемым методом Чохральского, при
бестигельной зонной плавке легирование
выращиваемого кристалла, как правило,
проводят из газовой фазы путем введения
в газ-носитель (аргон) газообразных
соединений легирующих примесей, При
этом удельное сопротивление кристаллов
может изменяться в широких пределах,
достигая 200 Ом·см, при выращивании в
вакууме получают монокристаллы с
очень высоким сопротивлением — до
3·104Ом·см,
для получения такого материала во
избежание загрязнений не применяют
резку или обдирку стержня поликристаллического
кремния