Студенческая. Учебная работа № 57258. Отчеты по практике ВГУ, лаборатория № 351. Производственная химико-технологическая практика

1 Звезда2 Звезды3 Звезды4 Звезды5 Звезд (7 оценок, среднее: 4,57 из 5)
Загрузка...

учебная работа № 57258. Отчеты по практике ВГУ, лаборатория № 351. Производственная химико-технологическая практика

Количество страниц учебной работы: 28
содержание:
«ОТЧЕТА
О ПРОИЗВОДСТВЕННОЙ ПРАКТИКЕ

1. Краткая характеристика предприятия (учреждения, лаборатории) — места практики.
— ВГУ;
— Исследование концентрационных распределений компонентов по глубине образцов проводилось методом резерфордовского обратного рассеяния (РОР) в лаборатории нейтронной физики объединенного института ядерных исследований, г. Дубна.

2. индивидуальное задание по практике:
Исследование методом РОР распределения элементов в тонкопленочных системах
Fe-TiO2/Pt/Si и Co-TiO2/Pt/Si
Задача исследования: Исследование взаимодиффузии в тонкопленочных системах при магнетронном распылении и последующем отжиге в вакууме.
программа выполнения работы:
2.1. Исследование методом РОР распределения железа (толщиной 100 нм) в оксиде титана в структуре рутила (толщина оксидной пленки 150 нм), сформированного на монокристаллическом кремнии с подслоем металлической платины (толщиной 110 нм).
Глубина исследования – 500-600 нм, исследуемые элементы: Fe, Ti, O, Pt, Si.
2.2. Исследование методом РОР распределения кобальта (толщиной 100 нм) в оксиде титана в структуре рутила (толщина оксидной пленки 150 нм), сформированного на монокристаллическом кремнии с подслоем металлической платины (толщиной 110 нм).
Глубина исследования – 500-600 нм, исследуемые элементы: Co, Ti, O, Pt, Si. Режимы синтезе и вакуумного отжига пленочных образцов представлены в таблице 1.
Таблица 1. Режимы синтеза и вакуумного отжига тонкопленочных образцов

образца система Режимы обработки Толщины слоев, фазовый состав Исследование распределения элементов

1
Fe-TiO2/Pt/Si
исходная после магнетронного распыления Fe- на TiO2
d(Fe)=100 nm d(TiO2)=150 nm
d(Pt)=110 nm
фазовый состав:
Fe, TiO2(p)
Fe, Ti, O, Pt, Si
2
Fe-TiO2/Pt/Si
Вакуумный отжиг Т=650 ºС
толщина оксидной пленки ~400 нм
фазовый состав: Fe3O4, FeTiO3, Fe2TiO5, Ti
Fe, Ti, O, Pt, Si
3 Fe-TiO2/Pt/Si Вакуумный отжиг Т=700 ºС толщина пленки сложного оксида ~400 нм
фазовый состав: Fe3O4, FeTiO3, Fe2TiO5,
Fe, Ti, O, Pt, Si

4
Co-TiO2/Pt/Si
Исходная после магнетронного распыления Co на TiO2
d(Co)=100 nm
d(TiO2)=200 nm d(Pt)=110 nm

фазовый состав:
Co, Co3Ti3O, TiO2(p)
Co, Ti, O, Pt, Si
5
Co-TiO2/Pt/Si
Вакуумный отжиг Т=650 ºС
толщина пленки сложного оксида ~600 нм
фазовый состав:
Co3Ti3O, Co3O4, CoTi, CoO Co, Ti, O, Pt, Si
6 Co-TiO2/Pt/Si Вакуумный отжиг Т=700 ºС толщина пленки сложного оксида ~600 нм
фазовый состав:
Co3Ti3O, Co3O4, CoTi, CoO Co, Ti, O, Pt, Si

[1.] Журнал технической физики, 2010, том 80, вып. 8
Синтез нанокристаллических пленок диоксида титана в цилиндрическом газовом разряде магнетронного типа и их оптическая характеризация
А.А. Гончаров,1 А.Н. Евсюков,1 Е.Г. Костин,2 Б.В. Стеценко1, Е.К. Фролова,1 А.И. Щуренко 1
1 институт физики НАН Украины, 03680 киев, Украина,
2 Институт ядерных исследований НАН Украины, 03680 киев, Украина
[2.] Доклады Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. 2011г.
ЛЕГИРОВАННЫЕ ОКСИДЫ ТИТАНА И ЦИРКОНИЯ В технологии ФОРМИРОВАНИЯ ЗАЩИТНЫХ ПОКРЫТИЙ
Л.М. ЛЫНЬКОВ, Т.В. МОЛОДЕЧКИНА, В.А. БОГУШ, Т.В. БОРБОТЬКО
[3.] журнал «Физика твердого тела», 2011, том 51, вып. 3
Фазовые превращения в тонких пленках оксида титана в процессе химического синтеза при резко неравновесных условиях
А.П. Беляев, А.А. Малыгин, В.В. Антипов, В.П. Рубец
Санкт-петербургский государственный технологический интситут (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
[4]. Харламова М.В., колесник И.В., Елисеев А.А., Лукашин А.В., Третьяков Ю.Д. Получение мезопористого оксида титана, допированного ионами металлов// труды VIII Международной конференции Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии стр. 60-62, 2008г.
[5.] В.Г. Заводинский, А.Н. Чибисов влияние примесей на стабильность и электронные состояния диоксида титана в форме анатаза // физика твердого тела, 2009, том 51, вып. 3, с. 477-482
[6.] журнал «Физика и техника полупроводников», 2014, том 48, вып. 6
Свойства пленок TiO2 на кремниевых подложках
В.М. Калыгина, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толбанов, Е.В. Черников, С.Ю. Цупий, Т.М. Яскевич
Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, 634050 Томск, Россия
[7.] журнал «Физика и техника полупроводников», 2014, том 48, вып. 7
Спектры поглощения тонких пленок TiO2, синтезированных реактивным высокочастотным магнетронным распылением титана
© В.М. Иевлев, C.Б. Кущев, А.Н. Латышев, Л.Ю. Леонова, О.В. Овчинников, М.С. смирнов, Е.В. Попова, А.В. Костюченко, С.А. Солдатенко.
394006 Воронеж, россия Воронежский государственный технический университет.
[8.] «Метод Резерфордовского обратного рассеяния при анализе состава твердых тел». И.И. Ташлыкова-Буткевич, Минск, 2011г.
[9.] «Просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения в нанотехнологических исследованиях» Д. В. Штанский, 2013г.
область научных интересов: фазовые превращения, материало-ведение сплавов и тонких пленок, инженерия поверхности, просвечивающая электронная микроскопия.

»

Стоимость данной учебной работы: 975 руб.

Укажите Ваш e-mail (обязательно)! ПРОВЕРЯЙТЕ пожалуйста правильность написания своего адреса!

Укажите № работы и вариант


Соглашение * (обязательно) Федеральный закон ФЗ-152 от 07.02.2017 N 13-ФЗ
Я ознакомился с Пользовательским соглашением и даю согласие на обработку своих персональных данных.


Подтвердите, что Вы не бот

выдержка из похожей работы

Как энергия образования вакансии связана с температурой плавле-ния?4,что больше – энергия образования вакансии или энергия межатомной связи?5,Как оценить значение энергии образования вакансии, если известно значение теплоты сублимации?6,какой точечный дефект, вакансия или межузельный атом, создает большие искажения кристаллической решетки?7,В какой кристаллической структуре точечный дефект создает большие искажения – в ГЦК или ОЦК структуре, и почему?8,Какой из двух точечных дефектов, вакансия или межузельный атом, обладает большей подвижностью?9,Что больше – вероятность перескока атома в соседнюю вакансию или вероятность перескока вакансии в соседний узел?10,Что такое самодиффузия?11,что больше: энергия активации миграции вакансии или энергия активации самодиффузии?12,почему энергия образования двух изолированных вакансий больше энергии образования дивакансии?
304

13,В чем заключается физический смысл энергии связи вакансии в дивакансии?14,Какой дефект более подвижен: вакансия или дивакансия?15,что такое равновесная концентрация вакансий?16,как равновесная концентрация вакансий связана с равновесной концентрацией дивакансий?17,Опишите механизм Шоттки образования вакансий,18,что является источником и стоком точечных дефектов?19,Какие методы анализа кривых отжига точечных дефектов вы знаете?20,Какие способы получения высокой концентрации точечных дефектов вы знаете?21,Что такое краевая и винтовая дислокации?22

Студенческая. Учебная работа № 57258. Отчеты по практике ВГУ, лаборатория № 351. Производственная химико-технологическая практика