(6 оценок, среднее: 4,67 из 5)
Загрузка...учебная работа № 57192. Контрольная Токсикологическая химия, 7 вопросов
Количество страниц учебной работы: 24
Содержание:
«Содержание
1. Методы химико-токсикологического анализа, их классификация, общая характеристика 3
2. характеристика группы веществ, изолируемых полярными растворителями 12
3. схема химико-токсикологического исследования на атропин 14
4. Количественное определение барбамила 17
5. Реакции и методы обнаружения сколопамина 19
6. Химико – токсикологическое исследование биоматериала на присутствие хинина 21
7. какие виды хроматографии применяются в токсикологическом анализе? 23
Список используемых источников 25
Список используемых источников
1. Вредные химические вещества. неорганические соединения элементов 1 – 4 групп / под ред. В.А. Филова.– Л. : Химия, 1988. – 256 с.
2. Ершов Ю.А. механизмы токсичности неорганических соединений / Ю.А. Ершов, Т.А. Плетенева. – М. : медицина, 1989. – 250 с.
3. Крамаренко В.Ф. Токсикологическая химия / В.Ф. Крамаренко. – Киев : Выща школа, 1989. – 448 с.
4. Крылова А.Н. исследование биологического материала на “металлические яды” дробным методом / А.Н. Крылова. – М. : медицина, 1975. – 99 с.
5. Лабораторная диагностика острых химических отравлений / М.В. Белова [и др.]. – М. : Миклош, 2003. – 46 с.
6. Лужников Е.А. клиническая токсикология / Е.А. Лужников. – М. : Медицина, 1999. – 416 с.
7. практикум по токсикологической химии / И.В. Шкутина [и др.]. – воронеж : Воронеж. гос. ун-т, – 2008. – 191 с.
8. Симонов Е.А. наркотические средства и психотропные вещества, контролируемые на территории РФ / Е.А. Симонов, Л.Ф. Найденова, С.А. Ворнаков. – М. : Интерлаб, 2003. – 411 с.
9. Токсикологическая химия / под ред. Т.В. Плетеневой. – М. : ГЭОТАР-Медиа, 2005. – 512 с.
10. Токсикологическая химия. Метаболизм и анализ токсикантов / под ред. Н.И. Калетиной. – М. : ГЭОТАР-Медиа, 2008. – 1015 с.
»
стоимость данной учебной работы: 585 руб.
выдержка из похожей работы
и
микромощные схемы, работающие при малых
уровнях рабочих токов (менее
1 мкА);
кремниевые
транзисторы имеют более высокое пороговое
напряжение, а следовательно, логические
схемы на этих транзисторах характеризуются
большой статической помехоустойчивостью;
кремний характеризуется
меньшей диэлектрической проницаемостью,
что обусловливает меньшие значения
барьерных емкостей переходов при
той же их площади и позволяет увеличить
быстродействие ИМС,Кремний
— прочный и жесткий материал, в
монокристаллическом состоянии
пригодный для изготовления чувствительных
элементов прецизионных широкодиапазонных
датчиков в виде консолей, мембран
очень малой толщины—вплоть
до 1,,,3 , Такие элементы могут массово
производиться методами, разработанными
в технологии ИС, Они обеспечивают резкое
ускорение развития средств автоматики,
печатной техники,Сырье
для получения кремния имеется всюду в
неограниченных количествах: содержание
его в земной коре превышает
26%,Кремний
нетоксичен в большинстве своих химических
соединений, и его производство не
сопровождается получением загрязняющих
окружающую среду отходов, тем более что
благодаря низкой материалоемкости
микроэлектроники объем его производства
будет всегда очень малым, несопоставимым
с масштабами металлургических и
химических производств,
Таблица 1 — Некоторые свойства германия
и кремния
Свойства
Единица измерения
Германий
Кремний
Температурный
коэффициент линейного расширения(0-1000С)
град -1
6,0·10-6
4,2·10-6
Предельная
рабочая температура
0С
70 — 80
120 — 150
Температура
плавления
0С
936
1414
Удельная
теплопроводность
Вт/см·град
0,55
0,8
Удельная
теплоемкость(0-1000С)
кал/г·град
0,08
0,17
Плотность при
200С
г/см3
5,3
2,3
Удельное
сопротивление при 200С
Ом·см
68
~1012
Ширина запрещенной
зоны
эВ
0,72
2
1,4, Технология получения монокристаллического кремния
производство монокристаллического
кремния происходит в два этапа:1,4,1, Получение кремния полупроводниковой
чистоты
1)
Восстановительная
плавка сырья
Восстановительная
плавка сырья,
содержащего оксид кремния в виде
кварцита, в электропечах при температуре
2273К (около
2000°):
SiO2+C
= Si+2CO
В результате первой
же операции получают элементарный
кремний, однако его чистота еще очень
низка и содержание основного вещества
составляет около
99%, Кремний
из-за высокой температуры плавления
и реакционной способности по отношению
к любым контейнерным материалам
очистке не поддается,
2) Перевод технического кремния в
соединения, удобные для глубокой очистки
SiCl4,
SiHCl3 или
SiH4
для получения
хлорида кремния и хлорсилана используются
реакции хлорирования:
Si+2Cl2SiCl4
Si+3HClSiHCl3+H2Моносилан
получают из предварительно изготовленного
кремний-магниевого сплава:
Mg2Si+4NH4ClSiH4+2MgCl2+4NH3
3) глубокая
очистка,
Для
дальнейшей глубокой очистки хлорида,
хлорсилана и моносилана применяется
один и тот же метод ректификации
в жидком виде независимо от того, что
первые два вещества в нормальных
условиях
— жидкости,
третье
— газ,
Ректификация
— многократная
перегонка
—
высокоэффективный, экономичный
процесс, выполняющийся без применения
каких-либо реагентов в герметичной
аппаратуре из нержавеющей стали,
4) восстановление с помощью водорода
и пиролиз Получение особо чистого кремния
осуществляется по
следующим реакциям:
восстановление(1373
K):
SiCl4
+ 2Н2Si
+
4НCl
SiHCl3
+ Н2Si
+ 3НCl
пиролиз(1273
K):
SiH4
Si
+ 2Н2
Восстановление
осуществляется на нагретые кремниевые
стержни-заготовки, непосредственно
через которые пропускается электрический
ток