Загрузка...
дисциплина: «Электротехника»
Лабораторная работа №4 Исследование биполярного транзистора № 200374-4
Цена 250 р.
1. Цель лабораторной работы
1.1 Исследование зависимости тока коллектора от тока базы и напряжения база — эмиттер;
1.2 Анализ зависимости коэффициента усиления по постоянному току от тока коллектора;
1.3 исследование работы биполярного транзистора в режиме отсечки;
1.4 получение входных и выходных характеристик транзистора;
1.5 определение коэффициента передачи по переменному току;
1.6. исследование динамического входного сопротивления транзистора.
2. порядок проведения эксперимента
2.1. Эксперимент 1. определение статического коэффициента передачи тока транзистора.
собираем схему для проведения эксперимента, схема показана на рисунке 1.
Рисунок 1. схема для исследования работы транзистора.
запускаем процесс моделирования работы схемы, записываем показания приборов.
Результат измерений заносим в отчет.
Вычисляем статический коэффициент передачи тока по формуле :
2.1. Эксперимент 2. Получение выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.
собираем схему для проведения эксперимента, схема показана на рисунке 2.
Рисунок 2. схема для снятия характеристик транзистора.
запускаем процесс моделирования работы схемы, записываем показания приборов при заданных значениях напряжений и .
Результат измерений заносим в отчет. по полученным данным строим график зависимости .
Собираем схему для проведения эксперимента, схема показана на рисунке 3.
рисунок 3. Схема для снятия характеристик транзистора.
Снимаем осциллограммы для каждого значения напряжения базы (рисунок 4), результаты заносим в отчет.
Рисунок 4. Осциллограмма выходной характеристики транзистора.
Вычисляем коэффициент передачи тока по формуле :
Полученное значение заносим в отчет.
2.3. Эксперимент 3. Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.
Собираем схему для проведения эксперимента, схема показана на рисунке 2.
Запускаем процесс моделирования работы схемы, записываем показания приборов при заданных значениях напряжения .
Результат измерений заносим в отчет. По полученным данным строим график зависимости .
Снимаем осциллограмму входной характеристики транзистора, схема для проведения эксперимента приведена на рисунке 5, результаты заносим в отчет.
Рисунок 5. схема для снятия осциллограммы входной характеристики.
Вычисляем входное сопротивление по формуле :
Полученное значение заносим в отчет.
3. результаты эксперимента
3.1. Эксперимент 1. Определение статического коэффициента передачи тока транзистора (таблица 1).
Таблица 1.
Напряжение источника ЭДС
эксперимент 2. Получение выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.
данные, полученные при моделировании, вносим в таблицу 2.
таблица 2.
, В
, мкА
, В
, мА
По полученным данным строим график зависимости (рисунок 6)
4. контрольные вопросы.
1. В чем заключается принцип действия биполярного транзистора?
Ответ:
2. Что такое входные ВАХ биполярного транзистора?
ответ:
3. Что такое выходные ВАХ биполярного транзистора?
Ответ:
4. Что такое проходная характеристика биполярного транзистора?
Ответ:
5. какие существуют режимы работы транзистора?
ответ:
6. От чего зависит ток коллектора транзистора?
ответ:
7. Как определяется коэффициент передачи тока транзистора.
ответ:
8. Как определяется входное сопротивление транзистора?
ответ:
9. Что такое обратный ток коллектора?
ответ:
Студенческая. Лабораторная работа №4 Исследование биполярного транзистора № 200374-4
Форма заказа готовой работы
Выдержка из подобной работы
Электроника и микросхемотехника. Курс лекций — Конспект , страница 1
Ключевой
режим работы 20
Усилительный
режим работы транзистора 21
2.3.2.
Схема включения транзистора с общим
коллектором 23
2.3.3.
Схема с общей базой 25
3.
Полевые транзисторы 26
3.1.
Полевой транзистор с p-n переходом 26
3.1.1.
Входные и выходные характеристики
полевого 27
транзистора
с p-n переходом и каналом n-типа 27
3.1.2.
Схема ключа на полевом транзисторе с
p-n переходом 28
3.2.
Полевые транзисторы с изолированным
затвором 29
3.2.2.
МОП — транзисторы с индуцированным
каналом 31
3.2.3.
Крутизна 31
3.2.4.
Ключ на КМОП — транзисторах с индуцированным
каналом 31
3.2.5
Биполярные транзисторы с изолированным
затвором (IGBT). 34
Устройство
и особенности работы 34
3.2.6
IGBT-модули 36
4.
Тиристоры 40
4.1.
Принцип работы тиристора 40
4.2.
Основные параметры тиристоров 41
4.3.
Двухполупериодный управляемый
выпрямитель 43
4.4.
Регулятор переменного напряжения 45
5.
Интегральные микросхемы 46
5.1.
Общие положения 46
5.2.
Аналоговые микросхемы. Операционные
усилители 46
5.2.1.
Свойства ОУ 46
Практическая
трактовка свойств ОУ 47
5.2.2.
Основы схемотехники ОУ 48
Входной
дифференциальный каскад 48
Современный
входной дифференциальный каскад 48
Промежуточный
каскад 50
Выходной
каскад 50
5.2.3.
Основные схемы включения ОУ. 50
Инвертирующее
включение 50
Применение
инвертирующего усилителя 51
в
качестве интегратора 51
Схема
дифференцирования 52
Схема
суммирования 52
5.2.4.
Неинвертирующее включение 52
5.2.5.
Ограничитель сигнала 54
5.2.6.
Компараторы 56
Схема
применения компаратора для 58
широтно-импульсного
регулирования 58
Триггер
Шмитта 58
Схема
мультивибратора 59
5.2.7.
Активные фильтры 62
Фильтры
первого порядка 62
Фазовращатель 62
Логарифмические
схемы 63
6.
ГЕНЕРАТОРЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ 66
Теоретические
сведения и расчетные соотношения 66
КОНТРОЛЬНЫЕ
ЗАДАНИЯ 82
Методика
выполнения задания 87
Интегральный
таймер 555 (К1006ВИ1) 88
6.
Цифровые интегральные микросхемы 89
6.1.
Общие понятия 89
6.2.
Основные свойства логических функций 90
6.3.
Основные логические законы 90
6.4.
Функционально полная система логических
элементов 91
6.5.
Обозначения,